化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)是指高溫環(huán)境下氣態(tài)反應(yīng)劑在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程，廣泛應(yīng)用于金屬、氧化物、氮化物及碳化物等無機(jī)薄膜的制備。PECVD(Plasma Enhanced CVD)是借助射頻使氣體電離產(chǎn)生局部等離子體，等離子體活性可有效促進(jìn)反應(yīng)，從而降低反應(yīng)溫度，加快成膜速率。

技術(shù)參數(shù)：

1 基片尺寸可定制；

2 低溫工藝：< 150℃ / 350℃；

3 多層式工藝氣體導(dǎo)入，氣體分布均勻；

4 獨(dú)立MFC控制箱，可靈活擴(kuò)充工藝氣路；

5 基片內(nèi)鍍膜均勻性優(yōu)于 ±5%；

6 可與手套箱集成；