熱絲輔助化學(xué)氣相沉積(Hot Wire Assisted Chemical Vapor Deposition, HWCVD)是指在加熱絲輔助的條件下進(jìn)行薄膜化學(xué)氣相沉積，適合做高溫的結(jié)晶材料，加熱絲輔助的同時還可以利用等離子體增強(qiáng)線圈進(jìn)一步輔助，從而提高制備出來的薄膜的晶體取向性。

技術(shù)參數(shù)：

1 基片尺寸可定制；
2 最高加熱溫度 2000℃；
3 樣品臺加熱溫度500℃；
4 ICP等離子體增強(qiáng)可選；