反應(yīng)離子刻蝕(Reactive Ion Etching, RIE)是指在平板電極間施加射頻電壓，通過(guò)產(chǎn)生的等離子體對(duì)樣品進(jìn)行化學(xué)和物理刻蝕。矽碁科技提供各類(lèi)定制化RIE設(shè)備，廣泛應(yīng)用于氧化硅、氮化硅及各類(lèi)電介質(zhì)材料刻蝕，此外矽碁還可以提供電感耦合反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(ICP-RIE)，該機(jī)型可提供更高的等離子濃度，適合金屬等其他材料的刻蝕。

技術(shù)參數(shù)：

1 基片尺寸可定制；

2 多層式工藝氣體導(dǎo)入，氣體分布均勻；

3 獨(dú)立MFC控制箱，可靈活擴(kuò)充工藝氣路；

4 基板水冷系統(tǒng)，保持刻蝕時(shí)基板溫度恒定；

5 刻蝕均勻性?xún)?yōu)于 ±5%；