磁控濺射是物理氣相沉積技術(Physical Vapor Deposition, PVD)的一種。一般用于制備金屬、半導體、絕緣體等薄膜材料，具有設備簡單、易于控制、效率高，面積大等優(yōu)點。

磁控濺射原理：通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

技術參數(shù)：

1 本底真空：10^-7Torr到10^-9Torr；

2 單基片設計，尺寸可定制，常規(guī)尺寸2-6英寸；

3 基片可旋轉(zhuǎn)并加熱：300℃/500℃/800℃；

4 最多可拓展8支磁控濺射靶槍，可共濺射；

5 靶槍角度可調(diào)，濺鍍距離可調(diào)，可升級強磁靶；

6 可選配多路氣路；

7 防交叉污染隔板設計；

8 可配備離子束輔助沉積；

9 可配備樣品預清洗功能；

10 可配備快速進樣室；

11 可配備自動壓力控制系統(tǒng)；

12 全自動操作系統(tǒng)；